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	번호	제목	댓글날짜	추천/비공감	삭제
	7	cmos, nmos, pmos [새창]	2012-03-29 23:40:40	0	삭제
		아 질문을 하나 빠뜨렷군요.. 풀업/풀다운 저항에 대해서 여쪄보셨군요. 설계를 하다보면 풀업내지 풀다운 저항을 달아야 하는 때가 있습니다. 어떠한 곳이냐면요. 평상시에는 잘 사용되지 않으면서 전압이 Floating 되어있는 경우입니다. Floating되면 출력이 어떻하게 나올 수도 있기 때문에 원하지 않는 출력을 얻지 않기 위해서 이러한 저항을 다는 경우가 있습니다. 그런데 질문자님께서 여쭤보시는 것은 BJT에 관한 저항입니다. PNP, NPN 정션은 아시나요? PNP, NPN 정션이 BJT입니다. CMOS는 Voltage Control Voltage Source 이지만. BJT는 Current Control Voltage Source 입니다. 즉 입력으로 전류를 흘려주기 위해서는 저항을 달아 전압 및 저항의 계산으로 인하여 전류가 흐르게 되고 이 전류가 입력 전류가 되는 것입니다. 그리고 풀업/풀다운 저항이 달리면 속도가 늦어진다는 이유는 다른 각도에서 설명할 수도 있겟지만. 이 저항관련하여 설명드리자만 저항이 뭍으면 이 저항은 전류량을 제한시켜줌니다. ESD 소자에서도 저항을 넣는 이유가 이 특성 때문입니다. 따라서 전류가 제한 됨으로써 반응 속도가 느려지는 결과를 갖게 됩니다.
	6	전기전자에 박식하신님들께 여쭤보겠습니다 사랑합니다 오유 [새창]	2012-03-29 23:29:28	0	삭제
		제가 잘못 이해했는지 모르겠으나. LED 전구를 구동하려고 하는데 이 LED전구가 깜빡이는 속도를 조절하고 싶다 이것인가요? 전자전공자이시라면 간단은 한데..아니시라면 윗분들 말씀대로 공구가게에서 사시는게 좋을듯 합니다. 속도 조절하는것은요. 윗분이 말씀하신 멀티바이브레이터로 구현해도되구요 아니면 Timer 사용하셔도 됩니다. 원리는 PWM(Pulse Width Modulation)이기 때문에 어떤것을 사용하셔도 가능은합니다. 다른 추가적인 기능을 넣고 싶다면 색깔별로 LED 구하셔서 주파수를 다르게 하여 구동하시면 예로 들면 파랑 빨강 LED를 구입해서 두 LED 구동 시간을 반대로 해줬을 시에는 이름이니셜이 빨강파랑색으로 반짝이겠죠.. 이것은 머 간단한 예시구요. 머리 굴리시면 더 좋은 회로들 많이 나올 수 있습니다. 돈이 여유롭다면 공구상에서 제작도 해주답니다. 그런데 터무니 없이 비싸게 부르긴 합니다. 질문에 도움은 안되고 딴소리만 늘어놨군요. ㅠㅠ
	5	cmos, nmos, pmos [새창]	2012-03-29 23:16:51	0	삭제
		질문에 자료가 너무 부족합니다. 첫째. CMOSFET에는 N-Type, P-Type이있는데 이것이 NMOS, PMOS입니다. BJT와 혼동하신 듯 하구요. 둘째. PMOS에 Negative Voltage를 인가해야한다고 하셨는데 이것은 PMOS의 Source 전압보다 Vth 전압만큼 이상으로 작은 전압을 인가해야한다는 뜻입니다. 즉, PMOS의 Source 전압이 만약 10V라 하면 Gate 전압은 10V-Vth이하의 전압을 인가 해야한다는 의미 입니다. 셋째. Digital에서 입력이 Low일 때 출력이 High인 것을 물어보셨는데요. 이것은 인버터 특성을 말씀하시는 것 같네요. Digital Logic에서도 여러가지가 있습니다. 예를 들자면, INVERTER, AND, OR, NAND, NOR, XOR, XNOR, MUX, D-FF, Latch 등등 너무 많습니다. 그중 인버터로서 PNOS의 Sorce는 VDD전압에 연결되며, Drain은 NMOS의 Drain과 연결하고, NMOS의 Source는 GND와 연결합니다. 그리고 NMOS/PMOS의 gate에 동시에 입력을 주는 형태를 말합니다.출력노드는 Drain 노드입니다. 이렇게 연결될시 입력전압이 높으면 NMOS가 Turn On 되어 출력은 GND Level이 되며, 입력전압이 낮으면 PMOS가 Turn On되어 출력전압은 VDD전압을 갖게 되는 구조입니다. 여기서 VDD전압은 설계자가 인가해주는 supply voltage입니다. 그리고 이러한 내용들은 전자회로 책 1~4장 정도에 다 나오는 내용이며 아주 기초적인 내용이므로 이쪽 분야를 전공하실 분이라면 질문보다 먼저 공부를 하시는게 다른 전반적인 사항도 알 수 있으니 좋을듯 합니다. 이상입니다.
	4	복학생인데..도와주세요ㅠ(인덕터) [새창]	2012-03-26 19:31:07	0	삭제
		임피던스에는 저항과 리액턴스로 구성되어 잇습니다. 다시 말해 저항은 DC 적인 값입니다. 반면 리액턴스는 sL , 1/sC 로 표현되며 주파수에 영향을 받습니다. 그래서 위상차가 발생하게 되는 것입니다. s=jw 이기 때문입니다. 인덕터는 전류를 저장하는 성질이 있으며, 캡패시터는 전압을 저장하는 특성을 갖고 있죠. 일덕터를 모델링 하면 저항 + 인덕터로 표현이 되며 양단에 전압차가 생기게 됨니다. 반면 두 소자는 주파수 영향은 반대 특성을 갖습니다. 위에서 적은 수식을 보면 인덕터는 분자에 주파수 관련변수가 있고 캡은 분모에 있는 것을 알 수 있습니다. 현상적으로 설명 드릴 수도 있지만 ㅎ 간단하게나마 표현해 봤습니다. ㅎ
	3	트랜지스터(or 스위칭 회로) 관련 질문입니다 [새창]	2012-03-21 11:46:34	0	삭제
		아참..그리고 출력 노드는 MOSFET의 Drain을 뜻합니다. 이상입니다. 추가질문 있으시면 [email protected] 이쪽으로 멜 주세요. ㅎ 전 오유인이 아니라 ㅋ 가끔 들어오는 사람이어서 잘 확인을 못해서요. 정확히 알려면. MOSFET 종류도 알아야 하고. 어디에 사용하는지도 알아야하고 ㅎ 기타 등등 필요한 자료가 있습니다.ㅎ 이상입니다. 감사합니다. ㅋ
	2	트랜지스터(or 스위칭 회로) 관련 질문입니다 [새창]	2012-03-21 11:44:23	0	삭제
		그럼 (사용하고자 하는 장치 + 장치의 전격전류에 따른 적정 저항)을 드레인과 VDD 사이에 다는건가요? ==> 저항의 위치는 Drain-VDD 맞구요, 이 회로는 전압만 생성하는 것이기 때문에 장치 전격전류와는 차이가 있습니다. MOSFET의 gate 전압이 5V일때의 전류는 Data Sheet에 나와있을 것입니다. 이 Current와 저항을 곱하세요. 만약 그 전압이 3V가 나왔다고 가정 했을 경우 12V 출력을 얻고 싶으면 VDD=15V로 하면 전압드랍 되어 12V가 출력됨니다. VDD가 12V라고 할 때 5V 신호를 게이트에 연결하면 각 경우에 출력 전압이 어떻게 되는지 궁급합니다. ==> 이론상은 12V to 0V인데요 앞서 말한것 과 같이 VDD - IR to Vds 전압입니다. 출력을 12V에 근사시키고 싶을때 VDD 전압을 높이지 못한다면 소스와 GND 사이에 12V짜리 풀업저항을 달수 있을지 궁금합니다. ==> Source to GND 사이에 저항을 넣으신다고 하는데요. 이것은 Common Sorce Single Amp With Res. 형태가 됨니다. 앞서 설명한 회로는 Common sorce Single Amp이구요. Source to GND에 저항을 넣으시면 Negative Feedback이 걸려서 출력 전압이 보다 정확하게 고정 되는 효과는 있습니다. 대신 이득은 줄어드는데요. 이것은 소신호적 이득을 말씀 드리는 것입니다. 이 저항은 크기가 너무 크면 Vgs 전압이 충분히 확보가 되지 않기 때문에 MOS의 Current 고려하여 정해야 합니다. 이유는 Current Res. 만큼 MOS의 Source 전압이 증가하기 때문에 Vgs전압이 줄어드는 결과를 가져오기 때문입니다.
	1	트랜지스터(or 스위칭 회로) 관련 질문입니다 [새창]	2012-03-20 21:31:16	0	삭제
		제가 질문을 잘못 이해했을 경우 지적해 주시기 바람니다. 일단 질문자 님께서 원하시는 것은 5V Input Signal로 구동하는 12V~40V Output Signal 인 것 같은데요. 간단 합니다. 대답에 앞서 MOSFET의 4 단자에 대해 혼동하시는 것 같은데요. 전류는 Drain --> Source로 흐르게 되며, 전류의 량은 Vgs, Vds 전압에 의하여 가변이 되어짐니다. 서론은 각설하고 결과를 말씀드리면. VDD (Supply Voltage라고 가정)와 MOSFET의 Drain 사이에 저항을 달아주고(이 저항의 크기에 따라 AC gain이 달라집니다.) Source 부분은 GND에 연결합니다. 이것은 MOSFET이 NMOS인 경우를 가정하에 설명 드리고 있습니다. 간단하게 이렇게 하면 Gate 전압에 따라 Drain 전압이 변화 및 Swing Range(VDD~GND)가 넢어진 출력을 얻을 수 있습니다. 이론상 그렇구요 실직적인 Output range는 MOS에 흐르는 Current * Res. 만큼 VDD 전압에 서 빼주면 되구요, 아래쪽 전압은 MOS의 Vds 전압을 빼주시면 되겠습니다. Vds전압은 0.2~0.4V 정도라 보시면 되겠습니다. 궁굼하신 부분있으시면 다시 질문 해주세요.

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