교수님께서 수업중에

phosphours doped silicon 을 예로하여 n-type semiconductor에서 LUMO아래에 생기는

Ed를 설명하시고, (ionization energy로 설명해주심)

boron doped silicon 을 예시로 하여 p-type semiconductor에 대해서 설명 하셨는데,

Ea를 설명하셨는데, Ea를 구해보라고 하셔서 몇 시간째 구글링도 해보고

이것저것 생각해보고 있습니다만... 아직 이렇다할 성과가 없네요...

근데 찾다보니 fermi level에 대한 얘기는 엄청 많은 것 같은데 

여기서 fermi level이 어떤 역할을 하는 건지 아직 잘 모르겠네요...

이걸 알면 뭔가 해결책이 나올 거 같습니다만... extrinsic semiconductor에서 fermi level이 뜻하는 의미좀 알려주십쇼...

고수님들 힘을 주세요!!